レーザによる化合物半導体の気相成長促進

●レーザによる化合物半導体の気相成長促進

問題:　有機金属気相エピタクシーによって化合物半導体の多層薄膜構造を生成するが、各層間で組成を急激に切り換えることが難しい

解決案:　化合物半導体に化学蒸着を行う際、基板にレーザパルスを照射します。レーザを照射したり切ったりすることによって照射エピタキシャル層と非照射エピタキシャル層の組成を急激に切り変えられます。

レーザによる化合物半導体の気相成長促進に対する問題（左図）と
その解決案（右図）

出典： TRIZ Technology for Innovation ( http://www.trizsolution.com )